摘要：隨著太陽能、UPS技術的不斷發展和市場的不斷擴大，對逆變器效率的要求也越來越被制造商所重視，因此三電平的拓撲結構便應運而生。眾所周知，與傳統兩電平結構相比，三電平結構除了使單個IGBT阻斷電壓減半之外，還具有諧波小、損耗低、效率高等優勢。本文主要是現有的三電平研究的基礎上，對”I”字型和”T”字型電路的波形了進行分析，并在波形分析的基礎上，對開關管的規格選取，損耗等方面進行了分析和比較，最終選取一種適合的三電平電路。文章來源：http://m.itmustbedons.com/bl/239.html

一、三電平電路示意圖

目前針對IGBT模塊三電平拓撲結構有很多種，最常見的兩種拓撲結構為三電平“I”型和三電平“T”型，接下來會對這兩種結構從不同方面進行分析。
       如圖1，2所示的兩種三電平電路圖，為了區分這兩種電路，根據四個IGBT開關管在線路圖中的的排列方式，我們將前者成為I字型，后者稱為T字型。
       三電平電路與普通的半橋電路相比，因為具有了中點續流的能力，所以對改善輸出紋波，降低損耗都有很好的效果。 三電平I型需先關斷外管Q1/Q4,再關斷內管Q2/Q3,防止母線電壓加在外管上導致損壞；而T型則無時序上的要求。另外，對于I型拓撲，在驅動設計時需要有4個獨立電源；而對于T型共發射極拓撲，只需要3個獨立電源。
 I型與T型損耗有所差異，在功率因數接近1時，開關頻率增大（>16KHz）,三電平I型（600V）損耗更低，效率更高；而開關頻率減少時（<16KHz），三電平T型（1200V）損耗更低，效率更高。所以在設計逆變器系統的時候，應根據不同的開關頻率去選擇一種效率高的拓撲結構。
5.換流路徑不同
      在T型拓撲中，外管與內管之間的轉換路徑均為一致；而在I型拓撲中，換流路徑有所不同，分為短換流路徑與長換流路徑，所以用分立模塊做三電平I型拓撲時，必須要注意其雜散電感與電壓尖峰的問題。