通過以下的電感負荷雙脈沖測試對SiC 功率模塊的開關特性進行評估。模塊內部的寄生電感約為25nH，電路的寄生電感約為15nH。 4.3.1 漏極電流依賴性以及溫度依賴性
受益于SBD（或者MOSFET 的體二極管）的快速恢復特性，SiC 功率模塊的恢復損耗Err 基本為零。而且MOSFET 中不存在尾電流，所以與IGBT 相比，Eoff 也非常的小。Eon 和Eoff 基本上隨電流呈比例增加的趨勢（上升率取決于外部Rg）。Si‐FRD 的恢復電流和IGBT 的尾電流在高溫下會增大，相對之下，由多數載流子器件構成的SiC 模塊隨溫度變化產生的損耗變化非常小。由于在高溫下閾值會降低，所以Eon 變小，而Eoff 有稍微變大的趨勢。文章來源：http://m.itmustbedons.com/js/168.html 4.3.2 門極電阻依賴性
在外部門極電阻大的情況下，流向門極的充放電電流值變小，開關速度變慢。與此同時，Eon、Eoff 增大，從而有可能發揮不出它原本的性能，所以請盡量選擇阻值低一些的門極電阻。 dV/dt、 dI/dt 針對外部門極電阻的依賴性如下圖所示。如果降低外部門極電阻的阻值，則dV/dt、dI/dt 的值會增大。ROHM 的SiC 功率模塊在各種各樣的條件下都進行過實驗，但是在目前的調查中
還沒有發現過dV/dt 破壞、dI/dt 破壞的破壞模式。轉載請注明出處：http://m.itmustbedons.com dV/dt、 dI/dt 針對外部門極電阻的依賴性如下圖所示。如果降低外部門極電阻的阻值，則dV/dt、dI/dt 的值會增大。ROHM 的SiC 功率模塊在各種各樣的條件下都進行過實驗，但是在目前的調查中
還沒有發現過dV/dt 破壞、dI/dt 破壞的破壞模式。 4.3.3 門極偏壓依賴性
SiC MOSFET 的Vgs 額定范圍為‐6～+22V。推薦的驅動條件是Vgs(on)=18V、Vgs(off)=0V 或者負偏壓使用情況下的‐3V～‐5V。Vgs(on)、Vgs(off)越大，門極的充放電越快，Eon、Eoff 越小。但是請在額定范圍內使用。