5.1 dV/dt 破壞、 dI/dt 破壞
當施加較大的dV/dt 時，SiC‐SBD 的周邊結構就會被破壞，這種破壞模式已經在其他公司的以往產品中得到印證，但是根據目前為止的調查，ROHM 的SBD 即使在50kV/us 左右的狀態下動作也不會發生這種破壞模式。文章來源：http://m.itmustbedons.com/
另外，Si‐FRD 在di/dt 較大的情況下，存在因恢復電流Irr 變大而電流集中從而導致破壞的破壞模式。而SiC‐SBD 的恢復電流非常小，所以難以發生這種破壞模式。
5.2 SiC‐SBD 的可靠性測試結果

根據規格書中記載的電氣特性來進行故障判定。
Failure criteria: According to the electrical characteristics specified by the specification.
關于可焊性測試，判定標準是焊料覆蓋面積≥95%。
Regarding solderability test, failure criteria is 95% or more area covered with solder.
樣品標準：采用可靠性水平90%，故障失效水平λ1=10%，C=0的判定，根據MIL-STD-19500的指數分布型計數一次抽樣表，采用22個樣本。